NJG1812 シリーズ

ハイパワーDPDTスイッチ GaAs MMIC

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概要

NJG1812ME4は、LTE/UMTS/CDMA/GSM等の通信用途に最適なハイパワーDPDT スイッチです。特にアンテナ切替用途に適しています。本製品は切替電圧1.8V に対応し、低挿入損失、低歪み、高線形特性を3GHz までカバーすることを特長とします。本製品は内蔵ESD 保護素子により高ESD 耐圧を有します。本製品はDC カットキャパシタが不要です*。EQFN12-E4 パッケージを採用し、小型・薄型化を実現します｡ (*DC バイアス印加時は除く)

アプリケーション

アンテナ切替及びその他汎用切替用途
LTE, UMTS, CDMA, GSM 用途

仕様

	民生	車載
品名	NJG1812ME4	NJG1812AMET-A
P-0.1dB	Typ. 36dBm
パワーレベル	High Power
挿入損失	0.25dB typ. @f=900MHz, P_IN=+35dBm 0.35dB typ. @f=1900MHz, P_IN=+33dBm 0.45dB typ. @f=2700MHz, P_IN=+27dBm
周波数範囲	0.2GHz to 3GHz	0.7GHz ～ 2.7GHz
外形サイズ	2.0x2.0x0.427(max.) mm	2.0x2.0x0.83(max.) mm
低切替電圧	V_CTL(H)=1.35 to 5.0V
動作電圧	V_DD=2.7V typ.
動作温度範囲	-40°C to 105°C
ジャンクション温度	150°C
パッケージ	EQFN12-E4	EQFN12-ET
AEC-Q100		AEC-Q100 グレード2
低歪み	2nd harmonics=-89dBm typ. @ f=786.5MHz, P_IN=+23dBm 3rd harmonics=-89dBm typ. @ f=710MHz, P_IN=+23dBm