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信頼性試験（電子デバイス製品）

  • 日清紡マイクロデバイス株式会社

    信頼性試験は、新製品開発時、変更品認定時、プロセス認定時に定められた項目について試験を実施し、目標とする信頼度が盛込まれていることを確認しています。

    信頼性試験

    • 1. バイポーラ製品

      通常梱包(MSL1)/ 表面実装タイプ(SMD)パッケージ

      No. TEST ITEM TEST CONDITION (*)PRE-CONDITION TIME n Reference
      1 High Temp. Operating Life Ta=125℃
      Voltage=Absolute Maximum Rating. Dynamic      		 No 1000h 22 JESD22-A108
      JESD85
      2 High Temp. Storage Life Ta=150℃ No 1000h 22 JESD22-A103
      3 Temp. Cycling Ta=-65～150℃ ①＋② 500cycles 22 JESD22-A104
      JESD22-A113
      4-1 HAST Ta=110℃ RH=85%
      Voltage=Absolute Maximum Rating.Static      		 ①＋② 264h 22 JESD22-A110
      JESD22-A113
      4-2 THB Ta=85℃ RH=85%
      Voltage=Absolute Maximum Rating.Static      		 ①＋② 1000h 22 JESD22-A101
      JESD22-A113
      5 UHAST Ta=110℃ RH=85% ①＋② 264h 22 JESD22-A118
      JESD22-A113
      6 Resistance To Soldering Heat 1 Reflow ① 3times 22 JESD22-A113
      J-STD-020
      7 Resistance To Soldering Heat 2 Flow ① 2times 22 JESD22-A111
      J-STD-002
      8 ESD-HBM C=100pF R=1.5k ohm ±2.0kV No Once 3 JS-001
      9 ESD-CDM ±1.0kV No Once 3 JS-002
      10 LU-I ±100mA No Once 3 JESD78
      Criteria：The electrical characteristics prescribed in the individual specifications shall be satisfied.
      • *）

        Pre-Condition

        The test shall be performed this pre-condition before testing.

        The baking condition is 125 ℃ 24h.

        MSL = LEVEL1

        • ①
          Ta=85℃, RH=85%, storage=168h
        • ②
          Reflow soldering heat stress (3times) or Flow soldering heat stress (2times)

        MSL = LEVEL2a

        • ①
          Ta=30℃, RH=60%, storage=696h　or Ta=60℃, RH=60%, storage=120h
        • ②
          Reflow soldering heat stress (3times) or Flow soldering heat stress (2times)

        MSL = LEVEL3

        • ①
          Ta=30℃, RH=60%, storage=192h　or Ta=60℃, RH=60%, storage=40h
        • ②
          Reflow soldering heat stress (3times) or Flow soldering heat stress (2times)
    • 2. CMOS、Bi-CMOS製品

      通常梱包(MSL1)/ 表面実装タイプ(SMD)パッケージ

      No. TEST ITEM TEST CONDITION (*)PRE-CONDITION TIME n Reference
      1 High Temp. Operating Life Ta=125℃
      Voltage=Voperation max. Dynamic      		 No 1000h 22 JESD22-A108
      JESD85
      2 High Temp. Storage Life Ta=150℃ No 1000h 22 JESD22-A103
      3 Temp. Cycling Ta=-65～150℃ ①＋② 500cycles 22 JESD22-A104
      JESD22-A113
      4-1 HAST Ta=110℃ RH=85%
      Voltage=Voperation max. Static      		 ①＋② 264h 22 JESD22-A110
      JESD22-A113
      4-2 THB Ta=85℃ RH=85%
      Voltage=Voperation max. Static      		 ①＋② 1000h 22 JESD22-A101
      JESD22-A113
      5 UHAST Ta=110℃ RH=85% ①＋② 264h 22 JESD22-A118
      JESD22-A113
      6 Resistance To Soldering Heat 1 Reflow ① 3times 22 JESD22-A113
      J-STD-020
      7 Resistance To Soldering Heat 2 Flow ① 2times 22 JESD22-A111
      J-STD-002
      8 ESD-HBM C=100pF R=1.5k ohm ±2.0kV No Once 3 JS-001
      9 ESD-CDM ±1.0kV No Once 3 JS-002
      10 LU-I ±100mA No Once 3 JESD78
      Criteria：The electrical characteristics prescribed in the individual specifications shall be satisfied.
      • *）

        Pre-Condition

        The test shall be performed this pre-condition before testing.

        The baking condition is 125 ℃ 24h.

        MSL = LEVEL1

        • ①
          Ta=85℃, RH=85%, storage=168h
        • ②
          Reflow soldering heat stress (3times) or Flow soldering heat stress (2times)

        MSL = LEVEL2a

        • ①
          Ta=30℃, RH=60%, storage=696h　or Ta=60℃, RH=60%, storage=120h
        • ②
          Reflow soldering heat stress (3times) or Flow soldering heat stress (2times)

        MSL = LEVEL3

        • ①
          Ta=30℃, RH=60%, storage=192h　or Ta=60℃, RH=60%, storage=40h
        • ②
          Reflow soldering heat stress (3times) or Flow soldering heat stress (2times)
    • 3. GaAs製品

      通常梱包(MSL1)/ 表面実装タイプ(SMD)パッケージ

      No. TEST ITEM TEST CONDITION (*)PRE-CONDITION TIME n Reference
      1 High Temp. Operating Life Ta=125℃
      Voltage=Absolute Maximum Rating. Dynamic      		 No 1000h 22 JESD22-A108
      JESD85
      2 High Temp. Storage Life Ta=150℃ No 1000h 22 JESD22-A103
      3 Temp. Cycling Ta=-65～150℃ ①＋② 500cycles 22 JESD22-A104
      JESD22-A113
      4-1 HAST Ta=110℃ RH=85%
      Voltage=Absolute Maximum Rating.Static      		 ①＋② 264h 22 JESD22-A110
      JESD22-A113
      4-2 THB Ta=85℃ RH=85%
      Voltage=Absolute Maximum Rating.Static      		 ①＋② 1000h 22 JESD22-A101
      JESD22-A113
      5 UHAST Ta=110℃ RH=85% ①＋② 264h 22 JESD22-A118
      JESD22-A113
      6 Resistance To Soldering Heat 1 Reflow ① 3times 22 JESD22-A113
      J-STD-020
      7 Resistance To Soldering Heat 2 Flow ① 2times 22 JESD22-A111
      J-STD-002
      8 ESD-HBM C=100pF R=1.5k ohm ±2.0kV No Once 3 JS-001
      9 ESD-CDM ±1.0kV No Once 3 JS-002
      10 LU-I ±100mA No Once 3 JESD78
      Criteria：The electrical characteristics prescribed in the individual specifications shall be satisfied.
      • *）

        Pre-Condition

        The test shall be performed this pre-condition before testing.

        The baking condition is 125 ℃ 24h.

        MSL = LEVEL1

        • ①
          Ta=85℃, RH=85%, storage=168h
        • ②
          Reflow soldering heat stress (3times) or Flow soldering heat stress (2times)
    • 4. 光半導体製品

      別途個別にお問い合わせ下さいますようお願い致します。

  • 旧 新日本無線株式会社

    信頼性試験は、新製品開発時、変更品認定時、プロセス認定時に定められた項目について試験を実施し、目標とする信頼度が盛込まれていることを確認しています。

    信頼性試験 (旧 新日本無線株式会社)

    • 1. バイポーラ製品 (NJM＊＊)

      バイポーラ製品 (NJMで始まる電子デバイス製品)

      通常梱包(MSL1)/ 表面実装タイプ(SMD)パッケージ

      試験項目 試験方法
      EIAJ ED-4701      		 試験条件 試料数
      高温保存試験 201 Tstgmax ,1000h 22
      低温保存試験 202 Tstgmin ,1000h 22
      高温高湿保存試験 103 85°C ,85% ,1000h 22
      連続動作試験 101 Tj=Tstgmax ,電圧=最大定格 ,1000h 22
      高温高湿バイアス試験(THB) 102 85°C,85% ,電圧=最大定格 ,1000h 22
      飽和蒸気加圧試験(PCT) - 121°C, 2.03×105Pa, 100%, 100h 22
      はんだ耐熱性試験 1 301 はんだリフロー，温度 = 最大 260°C, 10s
      前処理: 125°C 16h, 85°C 85% 168h      		 22
      はんだ耐熱性試験 2 301 温度 = 260°C, 10s
      前処理: 125°C 16h, 85°C 85% 168h      		 22
      熱衝撃試験 307 0°C 5min ～ 100°C 5min,10 サイクル 22
      温度サイクル試験 105 Tstgmin 30min ～ 25°C 5min ～ Tstgmax 30min,100 サイクル 22
      はんだ付け性試験 - Sn-3.0Ag-0.5Cu ,245°C ,5s ,フラックス使用 11

      脱気梱包(Dry Pack1:MSL2a)/ 表面実装タイプ(SMD)パッケージ

      試験項目 試験方法
      EIAJ ED-4701      		 試験条件 試料数
      高温保存試験 201 Tstgmax ,1000h 22
      低温保存試験 202 Tstgmin ,1000h 22
      高温高湿保存試験 103 85°C ,85% ,1000h 22
      連続動作試験 101 Tj=Tstgmax ,電圧=最大定格 ,1000h 22
      高温高湿バイアス試験(THB) 102 85°C,85% ,電圧=最大定格 ,1000h 22
      飽和蒸気加圧試験(PCT) - 121°C ,2.03×105Pa ,100% ,100h 22
      はんだ耐熱性試験 1 301 はんだリフロー 温度 = 最大 260°C ,10s
      前処理: 125°C 16h ,85°C 65% 168h      		 22
      はんだ耐熱性試験 2 301 温度 = 260°C ,10s
      前処理: 125°C 16h ,85°C 65% 168h      		 22
      熱衝撃試験 307 0°C 5min ～ 100°C 5min ,10 サイクル 22
      温度サイクル試験 105 Tstgmin 30min ～ 25°C 5min ～ Tstgmax 30min ,100 サイクル 22
      はんだ付け性試験 - Sn-3.0Ag-0.5Cu ,245°C ,5s ,フラックス使用 11

      通常梱包(MSL1)/ 挿入タイプ(THD)パッケージ

      試験項目 試験方法
      EIAJ ED-4701      		 試験条件 試料数
      高温保存試験 201 Tstgmax ,1000h 22
      低温保存試験 202 Tstgmin ,1000h 22
      高温高湿保存試験 103 85°C ,85% ,1000h 22
      連続動作試験 101 Tj=Tstgmax ,電圧=最大定格 ,1000h 22
      高温高湿バイアス試験(THB) 102 85°C ,85% ,電圧=最大定格 ,1000h 22
      飽和蒸気加圧試験(PCT) - 121°C ,2.03×105Pa ,100% ,100h 22
      はんだ耐熱性試験 302 温度 = 260°C ,10s
      浸せき部:本体より 1mm      		 22
      熱衝撃試験 307 0°C 5min ～ 100°C 5min ,10 サイクル 22
      温度サイクル試験 105 Tstgmin 30min ～ 25°C 5min ～ Tstgmax 30min ,100 サイクル 22
      はんだ付け性試験 - Sn-3.0Ag-0.5Cu ,245°C ,5s ,フラックス使用 11
    • 2. CMOS製品 (NJU＊＊)、
      Bi-CMOS製品 (NJW＊＊)

      CMOS製品 (NJUで始まる電子デバイス製品)、Bi-CMOS製品 (NJWで始まる電子デバイス製品)

      通常梱包(MSL1)/ 表面実装タイプ(SMD)パッケージ

      試験項目 試験方法
      EIAJ ED-4701      		 試験条件 試料数
      高温保存試験 201 Tstgmax ,1000h 22
      低温保存試験 202 Tstgmin ,1000h 22
      高温高湿保存試験 103 85°C ,85% ,1000h 22
      連続動作試験 101 Tj=Tstgmax ,電圧=Voprmax ,1000h 22
      高温高湿バイアス試験(THB) 102 85°C ,85% ,電圧=Voprmax ,1000h 22
      飽和蒸気加圧試験(PCT) - 121°C, 2.03×105Pa, 100%, 100h 22
      はんだ耐熱性試験 1 301 はんだリフロー，温度 = 最大 260°C, 10s
      前処理: 125°C 16h, 85°C 85% 168h      		 22
      はんだ耐熱性試験 2 301 温度 = 260°C, 10s
      前処理: 125°C 16h, 85°C 85% 168h      		 22
      熱衝撃試験 307 0°C 5min ～ 100°C 5min,10 サイクル 22
      温度サイクル試験 105 Tstgmin 30min ～ 25°C 5min ～ Tstgmax 30min,100 サイクル 22
      はんだ付け性試験 - Sn-3.0Ag-0.5Cu ,245°C ,5s ,フラックス使用 11

      脱気梱包(Dry Pack1:MSL2a)/ 表面実装タイプ(SMD)パッケージ

      試験項目 試験方法
      EIAJ ED-4701      		 試験条件 試料数
      高温保存試験 201 Tstgmax ,1000h 22
      低温保存試験 202 Tstgmin ,1000h 22
      高温高湿保存試験 103 85°C ,85% ,1000h 22
      連続動作試験 101 Tj=Tstgmax ,電圧=Voprmax ,1000h 22
      高温高湿バイアス試験(THB) 102 85°C,85% ,電圧=Voprmax ,1000h 22
      飽和蒸気加圧試験(PCT) - 121°C ,2.03×105Pa ,100% ,100h 22
      はんだ耐熱性試験 1 301 はんだリフロー 温度 = 最大 260°C ,10s
      前処理: 125°C 16h ,85°C 65% 168h      		 22
      はんだ耐熱性試験 2 301 温度 = 260°C ,10s
      前処理: 125°C 16h ,85°C 65% 168h      		 22
      熱衝撃試験 307 0°C 5min ～ 100°C 5min ,10 サイクル 22
      温度サイクル試験 105 Tstgmin 30min ～ 25°C 5min ～ Tstgmax 30min ,100 サイクル 22
      はんだ付け性試験 - Sn-3.0Ag-0.5Cu ,245°C ,5s ,フラックス使用 11

      防湿梱包(Dry Pack2:MSL3)/　表面実装タイプ(SMD)パッケージ

      試験項目 試験方法
      EIAJ ED-4701      		 試験条件 試料数
      高温保存試験 201 Tstgmax ,1000h 22
      低温保存試験 202 Tstgmin ,1000h 22
      高温高湿保存試験 103 85°C ,85% ,1000h 22
      連続動作試験 101 Tj=Tstgmax ,電圧=Voprmax ,1000h 22
      高温高湿バイアス試験(THB) 102 85°C ,85% ,電圧=Voprmax ,1000h 22
      飽和蒸気加圧試験(PCT) - 121°C ,2.03×105Pa ,100% ,100h 22
      はんだ耐熱性試験 1 301 はんだリフロー ,温度 = 最大 260°C ,10s
      前処理: 125°C 16h, 85°C 30% 168h, 30°C 70% 168h ,30°C 70% 72h      		 22
      はんだ耐熱性試験 2 301 温度 = 最大 260°C ,10s
      前処理: 125°C 16h, 85°C 30% 168h, 30°C 70% 168h ,30°C 70% 72h      		 22
      熱衝撃試験 307 0°C 5min ～ 100°C 5min ,10 サイクル 22
      温度サイクル試験 105 Tstgmin 30min ～ 25°C 5min ～ Tstgmax 30min ,100 サイクル 22
      はんだ付け性試験 - Sn-3.0Ag-0.5Cu ,245°C ,5s ,フラックス使用 11

      通常梱包(MSL1)/ 挿入タイプ(THD)パッケージ

      試験項目 試験方法
      EIAJ ED-4701      		 試験条件 試料数
      高温保存試験 201 Tstgmax ,1000h 22
      低温保存試験 202 Tstgmin ,1000h 22
      高温高湿保存試験 103 85°C ,85% ,1000h 22
      連続動作試験 101 Tj=Tstgmax ,電圧=Voprmax ,1000h 22
      高温高湿バイアス試験(THB) 102 85°C ,85% ,電圧=Voprmax ,1000h 22
      飽和蒸気加圧試験(PCT) - 121°C ,2.03×105Pa ,100% ,100h 22
      はんだ耐熱性試験 302 温度 = 260°C ,10s
      浸せき部:本体より 1mm      		 22
      熱衝撃試験 307 0°C 5min ～ 100°C 5min ,10 サイクル 22
      温度サイクル試験 105 Tstgmin 30min ～ 25°C 5min ～ Tstgmax 30min ,100 サイクル 22
      はんだ付け性試験 - Sn-3.0Ag-0.5Cu ,245°C ,5s ,フラックス使用 11
    • 3. GaAs製品 (NJG＊＊)

      GaAs製品 (NJGで始まる電子デバイス製品)

      通常梱包(MSL1)/ 表面実装タイプ(SMD)パッケージ

      試験項目 試験方法
      EIAJ ED-4701      		 試験条件 試料数
      高温保存試験e 201 Tstgmax ,1000h 22
      低温保存試験 202 Tstgmin ,1000h 22
      高温高湿保存試験 103 85°C ,85% ,1000h 22
      連続動作試験 101 Tj=Tstgmax ,電圧=最大定格 ,1000h 22
      高温高湿バイアス試験(THB) 102 85°C,85% ,電圧=最大定格 ,1000h 22
      飽和蒸気加圧試験(PCT) - 121°C ,2.03×105Pa ,100% ,40h 22
      はんだ耐熱性試験 1 301 はんだリフロー，温度 = 最大 260°C, 10s
      前処理: 125°C 16h, 85°C 85% 168h      		 22
      はんだ耐熱性試験 2 301 温度 = 260°C, 10s
      前処理: 125°C 16h, 85°C 85% 168h      		 22
      熱衝撃試験 307 0°C 5min to 100°C 5min ,10 cycles 22
      温度サイクル試験 105 Tstgmin 30min ～ 25°C 5min ～ Tstgmax 30min,100 サイクル 22
      はんだ付け性試験 - Sn-3.0Ag-0.5Cu ,245°C ,5s ,フラックス使用 11
    • 4. 光半導体製品 (NJL＊＊)

      光半導体製品 (NJLで始まる電子デバイス製品)

      別途個別にお問い合わせ下さいますようお願い致します。

  • 旧 リコー電子デバイス株式会社

    信頼性試験 (旧 リコー電子デバイス株式会社)

    Rで始まる電子デバイス製品

    信頼性試験成績書は各製品ページで公開しています。公開されていない製品については、お問い合わせください。