NJG1812 系列

高功率DPDT射频开关 GaAs MMIC

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概述

NJG1812ME4 是最适合LTE/UMTS/CDMA/GSM等通信用途的高功率DPDT 射频开关，特别适合天线切换用途。本产品可对应1.8V切换电压，还具有低插入损耗、低失真、到3GHz保持高线性频率特性等特点。此外，内置的ESD 保护元件使之具有高ESD 耐压功能。在所有RF端子处不再需要隔直电容*。采用了EQFN12-E4 小型薄型化封装。(*除去印加DC 偏压的情况)

应用

Antenna swapping, General purpose switching applications
LTE, UMTS, CDMA, GSM systems

规格

	消费	车载
产品名	NJG1812ME4	NJG1812AMET-A
P-0.1dB	Typ. 36dBm
功率级	High Power
插入损耗	0.25dB typ. @f=900MHz, P_IN=+35dBm 0.35dB typ. @f=1900MHz, P_IN=+33dBm 0.45dB typ. @f=2700MHz, P_IN=+27dBm
频率范围	0.2GHz to 3GHz	0.7GHz ～ 2.7GHz
封装尺寸	2.0x2.0x0.427(max.) mm	2.0x2.0x0.83(max.) mm
低电压切换	V_CTL(H)=1.35 to 5.0V
工作电压	V_DD=2.7V typ.
工作温度范围	-40°C to 105°C
结温	150°C
封装	EQFN12-E4	EQFN12-ET
AEC-Q100		AEC-Q100 grade 2