NB7200 シリーズ
2セル リチウムイオン電池用 過電流高精度保護IC
NB7200 シリーズ
2セル リチウムイオン電池用 過電流高精度保護IC
拡大
:q

概要
NB7200 は 2セルのLiイオン/Liポリマー2次電池の過充電、過放電及び過電流保護用ICです。 放電過電流、および充電過電流の検出電圧精度は、±1 mVと高精度を実現しています。 センス抵抗の低抵抗化により発熱を抑え、低消費電流・低スタンバイ電流により小容量の電池での長時間駆動を可能にします。
仕様
動作入力電圧範囲 | 1.5 V to 10.0 V (Maximum Rating: 12 V) | ||
充電器マイナス電位入力 | -30 V | ||
セル数 | 2 | ||
消費電流 | Typ. 2.0 µA | ||
スタンバイ電流 | Max. 0.2 µA | ||
過充電 検出電圧範囲 | 4.2 V to 4.8 V | ||
過充電 検出電圧精度 | ±15 mV | ||
過充電 検出遅延時間 | 1024 ms | ||
過放電 検出電圧範囲 | 2.0 V to 3.2 V | ||
過放電 検出電圧精度 | ±35 mV | ||
過放電 検出遅延時間 | 32 ms, 64 ms, 128 ms, 256 ms, 512 ms | ||
放電過電流 検出電圧範囲 | VDET3-1: 0.0030 V to 0.0300 V VDET3-2: 0.010 V to 0.090 V |
||
放電過電流 検出電圧精度 | VDET3-1: ±1.0 mV VDET3-2: ±2 mV (0.010 V to 0.040 V), ±5% (0.040 V to 0.050 V), ±2.5 mV (0.050 V to 0.090 V) |
||
放電過電流 検出遅延時間 | VDET3-1: 12 ms, 128 ms, 256 ms, 512 ms, 3584 ms VDET3-2: 16 ms |
||
充電過電流 検出電圧範囲 | -0.0300 V to -0.0030 V | ||
充電過電流 検出電圧精度 | ±1.0 mV | ||
充電過電流 検出遅延時間 | 8 ms, 16 ms, 32 ms | ||
短絡 検出電圧範囲 | 0.020 V to 0.100 V | ||
短絡 検出電圧精度 | ±4 mV | ||
短絡 検出遅延時間 | 0.27 ms, 0.53 ms | ||
過充電検出後の復帰条件 | 電圧復帰 | ||
過放電検出後の復帰条件 | 電圧復帰 | ||
パッケージ | DFN1616-8-GM | ||
0V充電 | Permission / Inhibition |
保護回路/ 機能
Temperature Protection | Reset | Alarm | Cell Balance | Cascadable | Open Wire Detection | Wakeup | Short-circuit Current Detection | Delay Time Shortening |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
機能説明
Temperature Protection | 温度保護 |
---|---|
Reset | リセット機能 |
Alarm | アラーム機能 |
Cell Balance | セルバランス機能 |
Cascadable | カスケード接続機能 |
Open Wire Detection | 断線検出機能 |
Wakeup | ウェイクアップ機能 |
Short-circuit Current Detection | 短絡保護機能 |
Delay Time Shorting | 遅延時間短縮機能 |
各機能の詳細については、「外部保護機能とメリットについて」をご参照ください。
技術資料
-
基本回路例
品質・パッケージ
製品名 | 対応 | パッケージ情報 | マーキング情報 | 信頼性データ |
---|---|---|---|---|
NB7200GMxxxxxE4S |
|
DFN1616-8-GM | データシート参照 | NB7200GMS |
- 製品詳細はデータシートをご参照ください
- パッケージ外形図、テーピング仕様、テーピングリール外形図、許容損失、基板パット推奨寸法 (ランドパターン)、などはデータシートもしくは各パッケージをご参照ください