NB7130 シリーズ
1セル リチウムイオン電池保護IC ローサイドFET駆動タイプ
NB7130 シリーズ
1セル リチウムイオン電池保護IC ローサイドFET駆動タイプ
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概要
NB7130は、ローサイドFETに対応した1セルのLiイオン/Liポリマー2次電池保護ICです。高精度な過充電、過放電、過電流、短絡電流保護機能、温度保護機能、強制スタンバイモードを備えています。また、サーミスタ接続による温度検出が可能です。 COUT出力とDOUT出力(CMOS出力)は通常はHighで、異常状態を検出し充放電を停止すると、COUT出力かDOUT出力のどちらかがLowになります。温度異常時のみ、COUT出力とDOUT出力ともにLowになる場合があります。 *現在開発中の製品のため、予告なしに仕様変更する場合があります。
仕様
動作入力電圧範囲 | 1.5 V to 5.0 V (Maximum Rating: 12 V) | ||
セル数 | 1 | ||
消費電流 | Typ. 3.0 µA | ||
スタンバイ電流 | Max. 0.04 µA | ||
過充電 検出電圧範囲 | 4.3 V to 4.8 V (0.001 V Step) | ||
過充電 検出電圧精度 | ±6.5 mV | ||
過充電 検出遅延時間 | 256 ms, 1024 ms, 4096 ms | ||
過放電 検出電圧範囲 | 2.0 V to 3.0 V (0.001 V Step) | ||
過放電 検出電圧精度 | ±17 mV | ||
過放電 検出遅延時間 | 16 ms, 32 ms, 128 ms, 256 ms | ||
放電過電流 検出電圧範囲 | 0.0060 V to 0.0500 V (0.0001 V Step) | ||
放電過電流 検出電圧精度 | ±0.75 mV | ||
放電過電流 検出遅延時間 | 16 ms, 32 ms, 128 ms, 512 ms, 1024 ms, 2048 ms, | ||
充電過電流 検出電圧範囲 | -0.0500 V to -0.0060 V (0.0001 V Step) | ||
充電過電流 検出電圧精度 | ±0.75 mV | ||
充電過電流 検出遅延時間 | 8 ms, 16 ms, 32 ms, 512 ms | ||
短絡 検出電圧範囲 | 0.020 V to 0.125 V (0.0001 V Step) | ||
短絡 検出電圧精度 | ±1.0 mV (0.020 V ≤ VSHORT ≤ 0.080 V), ±2.0 mV (0.080 V < VSHORT ≤ 0.125 V) | ||
短絡 検出遅延時間 | 0.28 ms, 0.53 ms, 1.1 ms, 2.1 ms | ||
過放電検出後の復帰条件 | ラッチ | ||
パッケージ | WLCSP-8-ZA1 | ||
0 V充電 | 禁止、許可 |
保護回路/ 機能
Temperature Protection | Reset | Alarm | Cell Balance | Cascadable | Open Wire Detection | Wakeup | Short-circuit Current Detection | Delay Time Shortening |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
機能説明
Temperature Protection | 温度保護 |
---|---|
Reset | リセット機能 |
Alarm | アラーム機能 |
Cell Balance | セルバランス機能 |
Cascadable | カスケード接続機能 |
Open Wire Detection | 断線検出機能 |
Wakeup | ウェイクアップ機能 |
Short-circuit Current Detection | 短絡保護機能 |
Delay Time Shorting | 遅延時間短縮機能 |
各機能の詳細については、「外部保護機能とメリットについて」をご参照ください。
技術資料
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基本回路例
品質・パッケージ
製品名 | 対応 | パッケージ情報 | マーキング情報 | 信頼性データ |
---|---|---|---|---|
NB7130ZAxxxxxE2S |
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WLCSP-8-ZA1 | データシート参照 | NB7130ZAS |
- 製品詳細はデータシートをご参照ください
- パッケージ外形図、テーピング仕様、テーピングリール外形図、許容損失、基板パット推奨寸法 (ランドパターン)、などはデータシートもしくは各パッケージをご参照ください