NT1819NAAE2S
吸収型高アイソレーションSPDTスイッチ
NT1819NAAE2S
吸収型高アイソレーションSPDTスイッチ
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概要
NT1819NAAE2S は吸収型の高アイソレーションSPDTスイッチです。5G セルラー通信基地局などの用途に最適です。本製品は端子間の高アイソレーションを特長としており、3.85 GHz にて60 dB、かつ7.125 GHz にて50 dB の端子間アイソレーションを実現しています。回路及び素子間に高アイソレーションを必要する通信方式に対応可能です。NT1819NAAE2S はP1 端子、P2 端子は未使用時に50Ωで終端されるため、回路接続時の不整合を防ぐことが可能です。パッケージは小型の3 x 3 mm QFN3030-16-NA を採用しており、実装面積の削減に貢献します。
アプリケーション
- セルラー通信基地局(スモールセル、マクロセル等)
- その他無線通信向け高周波信号切替用途
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仕様
民生 機能 SPDTスイッチ P-0.1dB Typ. +31 dBm パワーレベル High Power 挿入損失 Typ. 0.70/0.80/0.85/0.90/1.2 dB @0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz アイソレーション Typ. 70/62/60/55/51 dB @0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz, PC-P1/P2
70/61/60/58/55 dB @0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz, P1-P2周波数範囲 0.2 to 7.125 GHz 外形サイズ Typ. 3.0 x 3.0 mm 低切替電圧 Typ. 1.8 V 動作電圧 Typ. 3.3 V (2.5 ~ 5.0 V) 動作温度範囲 -40°C to 105°C ジャンクション温度 150°C パッケージ QFN3030-16-NA -
技術資料
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品質・パッケージ
製品名 対応 パッケージ情報 マーキング情報 信頼性データ NT1819NAAE2S QFN3030-16-NA データシート参照 - - 製品詳細はデータシートをご参照ください
- パッケージ外形図、テーピング仕様、テーピングリール外形図、許容損失、基板パット推奨寸法 (ランドパターン)、などはデータシートもしくは各パッケージをご参照ください
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