NT1819NAAE2S

吸収型高アイソレーションSPDTスイッチ

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民生用 ( 1.8MB )

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概要

NT1819NAAE2S は吸収型の高アイソレーションSPDTスイッチです。5G セルラー通信基地局などの用途に最適です。本製品は端子間の高アイソレーションを特長としており、3.85 GHz にて60 dB、かつ7.125 GHz にて50 dB の端子間アイソレーションを実現しています。回路及び素子間に高アイソレーションを必要する通信方式に対応可能です。NT1819NAAE2S はP1 端子、P2 端子は未使用時に50Ωで終端されるため、回路接続時の不整合を防ぐことが可能です。パッケージは小型の3 x 3 mm QFN3030-16-NA を採用しており、実装面積の削減に貢献します。

アプリケーション

セルラー通信基地局(スモールセル、マクロセル等)
その他無線通信向け高周波信号切替用途

仕様

	民生
機能	SPDTスイッチ
P-0.1dB	Typ. +31 dBm
パワーレベル	High Power
挿入損失	Typ. 0.70/0.80/0.85/0.90/1.2 dB @0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz
アイソレーション	Typ. 70/62/60/55/51 dB @0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz, PC-P1/P2 70/61/60/58/55 dB @0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz, P1-P2
周波数範囲	0.2 to 7.125 GHz
外形サイズ	Typ. 3.0 x 3.0 mm
低切替電圧	Typ. 1.8 V
動作電圧	Typ. 3.3 V (2.5 ~ 5.0 V)
動作温度範囲	-40°C to 105°C
ジャンクション温度	150°C
パッケージ	QFN3030-16-NA