NJG1812AMET-A
ハイパワーDPDT スイッチ GaAs MMIC
NJG1812AMET-A
ハイパワーDPDT スイッチ GaAs MMIC
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概要
NJG1812AMET-A はLTE/UMTS/CDMA/GSM等の通信用途に最適なハイパワーDPDT スイッチです。本製品は切替電圧 1.8 V に対応し、低挿入損失、低歪み、高線形特性を3 GHz までカバーすることを特長とします。また、ESD 保護素子の内蔵により高いESD 耐圧を有します。本製品は DC ブロッキングキャパシタが不要であるため実装面積の削減に貢献します（DC バイアス印加時は除く）。ウェッタブルフランクパッケージであるQFN12-ET の適用により、特に車載用途で要求が多い自動外観検査 (AOI) に対応します。
アプリケーション
- eCall
- テレマティクス
- アンテナスワッピング、その他汎用切替用途
- LTE, UMTS, CDMA, GSM用途
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仕様
車載 機能 DPDTスイッチ P-0.1dB Typ. 36dBm パワーレベル High Power 挿入損失 0.25 dB typ. @ f = 900 MHz, PIN = +35 dBm
0.35 dB typ. @ f = 1900 MHz, PIN = +33 dBm
0.45 dB typ. @ f = 2700 MHz, PIN = +27 dBm周波数範囲 0.7GHz ～ 2.7GHz 外形サイズ Typ. 2.0x2.0x0.78 mm 低切替電圧 VCTL(H) = 1.35 V to 5.0 V 動作電圧 VDD = 2.7 V typ. 動作温度範囲 -40°C ～ 105°C ジャンクション温度 150°C パッケージ EQFN12-ET AEC-Q100 AEC-Q100 グレード2 Note 低歪み (2fo = -89 dBm typ. @ f = 786.5 MHz, PIN = +23 dBm
3fo = -89 dBm typ. @ f = 710 MHz, PIN = +23 dBm) -
技術資料
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品質・パッケージ
製品名 対応 パッケージ情報 マーキング情報 信頼性データ NJG1812AMET-A EQFN12-ET - - - 製品詳細はデータシートをご参照ください
- パッケージ外形図、テーピング仕様、テーピングリール外形図、許容損失、基板パット推奨寸法 (ランドパターン)、などはデータシートもしくは各パッケージをご参照ください
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購入・サンプル
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