NJG1635AHB6
SPDTスイッチGaAs MMIC
NJG1635AHB6
SPDTスイッチGaAs MMIC
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概要
NJG1635AHB6 は携帯電話、WiBro およびWiMAX 機器に最適なハイパワーSPDT スイッチです。高パワーハンドリング、低挿入損失、高アイソレーションを特徴とします。本スイッチIC は1 ビットの入力制御信号により1.3V からの低電圧にてRF ポートの切替制御が出来ます。またESD 耐圧向上のための保護回路を内蔵しております。USB8-B6 パッケージを採用することで小型化・薄型化を実現しました。
アプリケーション
- LTE、UMTS、CDMA 及びWiMAX 用途
- モバイルフォン、データカード、タブレットPC、フェムトセル及びその他通信端末
- アンテナ切替え、バンド切替え、PA 出力切替え及びその他汎用用途
仕様
| 民生 | |
|---|---|
| 機能 | SPDTスイッチ |
| P-0.1dB | Typ. 34dBm |
| パワーレベル | High Power |
| 挿入損失 | 0.30dB typ. @f=0.9GHz, PIN=30dBm, VDD=2.7V 0.35dB typ. @f=1.9GHz, PIN=30dBm, VDD=2.7V 0.40dB typ. @f=2.7GHz, PIN=30dBm, VDD=2.7V |
| アイソレーション | 35dB typ. @f=0.9/1.9GHz, PIN=30dBm, VDD=2.7V 33dB typ. @f=2.7GHz, PIN=30dBm, VDD=2.7V |
| 周波数範囲 | 0.05GHz to 3GHz |
| 外形サイズ | Typ. 1.5x1.5x0.55 mm |
| 低切替電圧 | +1.3V min. |
| 動作電圧 | +2.5V to +4.5V |
| 動作温度範囲 | -40°C to 95°C |
| ジャンクション温度 | 150°C |
| パッケージ | USB8-B6 |
| 備考 | 静電破壊対策 (ESD 保護回路内蔵) |
技術資料
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設計サポート資料
品質・パッケージ
- 製品詳細はデータシートをご参照ください
- パッケージ外形図、テーピング仕様、テーピングリール外形図、許容損失、基板パット推奨寸法 (ランドパターン)、などはデータシートもしくは各パッケージをご参照ください
FAQ
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