NJG1812ME4
ハイパワーDPDTスイッチ GaAs MMIC
NJG1812ME4
ハイパワーDPDTスイッチ GaAs MMIC
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概要
NJG1812ME4は、LTE/UMTS/CDMA/GSM等の通信用途に最適なハイパワーDPDT スイッチです。特にアンテナ切替用途に適しています。本製品は切替電圧1.8V に対応し、低挿入損失、低歪み、高線形特性を3GHz までカバーすることを特長とします。本製品は内蔵ESD 保護素子により高ESD 耐圧を有します。本製品はDC カットキャパシタが不要です*。EQFN12-E4 パッケージを採用し、小型・薄型化を実現します｡ (*DC バイアス印加時は除く)
アプリケーション
- アンテナ切替及びその他汎用切替用途
- LTE, UMTS, CDMA, GSM 用途
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仕様
民生 機能 DPDTスイッチ P-0.1dB Typ. 36dBm パワーレベル High Power 挿入損失 0.25dB typ. @f=900MHz, PIN=+35dBm
0.35dB typ. @f=1900MHz, PIN=+33dBm
0.45dB typ. @f=2700MHz, PIN=+27dBm周波数範囲 0.2GHz to 3GHz 外形サイズ Typ. 2.0x2.0x0.397 mm 低切替電圧 VCTL(H)=1.35 to 5.0V 動作電圧 VDD=2.7V typ. 動作温度範囲 -40°C to 105°C ジャンクション温度 150°C パッケージ EQFN12-E4 低歪み 2nd harmonics=-89dBm typ. @ f=786.5MHz, PIN=+23dBm
3rd harmonics=-89dBm typ. @ f=710MHz, PIN=+23dBm -
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