NJG1812ME4
高功率DPDT射频开关 GaAs MMIC
NJG1812ME4
高功率DPDT射频开关 GaAs MMIC
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概述
NJG1812ME4 是最适合LTE/UMTS/CDMA/GSM等通信用途的高功率DPDT 射频开关，特别适合天线切换用途。本产品可对应1.8V切换电压，还具有低插入损耗、低失真、到3GHz保持高线性频率特性等特点。此外，内置的ESD 保护元件使之具有高ESD 耐压功能。在所有RF端子处不再需要隔直电容*。采用了EQFN12-E4 小型薄型化封装。(*除去印加DC 偏压的情况)
应用
- Antenna swapping, General purpose switching applications
- LTE, UMTS, CDMA, GSM systems
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规格
消费 功能 DPDT开关 P-0.1dB Typ. 36dBm 功率级 High Power 插入损耗 0.25dB typ. @f=900MHz, PIN=+35dBm
0.35dB typ. @f=1900MHz, PIN=+33dBm
0.45dB typ. @f=2700MHz, PIN=+27dBm频率范围 0.2GHz to 3GHz 封装尺寸 Typ. 2.0x2.0x0.397 mm 低电压切换 VCTL(H)=1.35 to 5.0V 工作电压 VDD=2.7V typ. 工作温度范围 -40°C to 105°C 结温 150°C 封装 EQFN12-E4 低失真 2nd harmonics=-89dBm typ. @ f=786.5MHz, PIN=+23dBm
3rd harmonics=-89dBm typ. @ f=710MHz, PIN=+23dBm -
技术资料
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线上购买
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