NJG1812ME4
高功率DPDT射频开关 GaAs MMIC

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  • 概述

    NJG1812ME4 是最适合LTE/UMTS/CDMA/GSM等通信用途的高功率DPDT 射频开关,特别适合天线切换用途。本产品可对应1.8V切换电压,还具有低插入损耗、低失真、到3GHz保持高线性频率特性等特点。此外,内置的ESD 保护元件使之具有高ESD 耐压功能。在所有RF端子处不再需要隔直电容*。采用了EQFN12-E4 小型薄型化封装。(*除去印加DC 偏压的情况)

    应用


    • Antenna swapping, General purpose switching applications
    • LTE, UMTS, CDMA, GSM systems

  • 规格
    消费
    功能 DPDT开关
    P-0.1dB Typ. 36dBm
    功率级 High Power
    插入损耗 0.25dB typ. @f=900MHz, PIN=+35dBm
    0.35dB typ. @f=1900MHz, PIN=+33dBm
    0.45dB typ. @f=2700MHz, PIN=+27dBm
    频率范围 0.2GHz to 3GHz
    封装尺寸 Typ. 2.0x2.0x0.397 mm
    低电压切换 VCTL(H)=1.35 to 5.0V
    工作电压 VDD=2.7V typ.
    工作温度范围 -40°C to 105°C
    结温 150°C
    封装 EQFN12-E4
    低失真 2nd harmonics=-89dBm typ. @ f=786.5MHz, PIN=+23dBm
    3rd harmonics=-89dBm typ. @ f=710MHz, PIN=+23dBm
  • 技术资料
  • 品质&封装
    • 有关产品的详细信息,请参见数据表。
    • 封装文件包括封装尺寸,卷带规格,卷带盘尺寸,功耗和建议的焊盘图案。
    • 请联系我们或我们的代理商以获取未发布的可靠性信息。

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功能说明

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