新規次世代半導体材料を使用するパワー半導体の実現に向けて支援

～琵琶湖半導体構想(案)に参画～

日清紡マイクロデバイス株式会社
PATENTIX社

日清紡マイクロデバイス株式会社(代表取締役社長：田路悟)は、新規次世代半導体材料を使用するパワー半導体による省エネ・グリーン化を目指すPatentix株式会社（本社：滋賀県草津市野路東1丁目1番1号、代表取締役：衣斐豊祐、以下「PATENTIX」）が推進している企業間連携を目的としたコンソーシアム、琵琶湖半導体構想(案)^*1)に参画します。

PATENTIX は立命館大学発のベンチャーであり、同大学総合科学技術研究機構の金子健太郎教授/RARAフェローと共同で研究・技術開発している新規次世代半導体材料であるGeO2半導体^*2)エピウェハの早期供給に向け、企業連携を促進しています。

日清紡マイクロデバイスはその活動に賛同し、また、新規半導体材料の研究開発に適した半導体製造ラインとシリコン半導体以外にも各種化合物半導体素子のデバイス設計・プロセス技術を有しており、これらがPATENTIXにおける研究開発の活動に有効なことから、新規次世代パワー半導体候補としてGeO2材料の基礎研究と、将来の新規次世代パワー半導体向け応用への協力をすることになりました。

「挑戦と変革。地球と人びとの未来を創る。」という日清紡グループの企業理念に基づき、日本発で世界をリードできる新規次世代半導体材料を使用する素子を実現し、省エネ・グリーン化に貢献してまいります。

*1) 琵琶湖半導体構想(案)： (PATENTIX社資料より)

*2) GeO2半導体： GeO2 は5つの結晶多型をもちます。その中でも、ルチル構造r-GeO2 は、4.6 eVという巨大なバンドギャップをもつこと、安価なバルク基板や成膜が可能であること、ｎ型、ｐ型の両伝導が理論予測されていることから将来の高性能MOSFET等への応用が期待されています。

琵琶湖半導体構想