NJG1812AMET-A
高功率DPDT射频开关 GaAs MMIC
NJG1812AMET-A
高功率DPDT射频开关 GaAs MMIC
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概述
NJG1812AMET-A 是最适合LTE/UMTS/CDMA/GSM等通信用途的大功率DPDT 开关。本产品能应对1.8V切换电压,在3 GHz频率之内还具有低插入损耗、低失真、高线性特性的特点。此外,内置的ESD 保护器件使之具有高ESD 耐压。本产品无需隔直电容,有利于消减实装面积(施加直流偏置电压时例外)。采用Wettable Flank(可湿性侧面)封装QFN12-ET 能够应对强烈要求自动外观检查(AOI)的车载用途。
应用
- 紧急呼叫(eCall)
- 车载智能通信(Telematics)
- 天线交换及其他通用切换用途
- LTE, UMTS, CDMA, GSM用途
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规格
车载 功能 DPDT开关 P-0.1dB Typ. 36dBm 功率级 High Power 插入损耗 0.25 dB typ. @ f = 900 MHz, PIN = +35 dBm
0.35 dB typ. @ f = 1900 MHz, PIN = +33 dBm
0.45 dB typ. @ f = 2700 MHz, PIN = +27 dBm频率范围 0.7GHz ~ 2.7GHz 封装尺寸 Typ. 2.0x2.0x0.78 mm 低电压切换 VCTL(H) = 1.35 V to 5.0 V 工作电压 VDD = 2.7 V typ. 工作温度范围 -40°C ~ 105°C 结温 150°C 封装 EQFN12-ET AEC-Q100 AEC-Q100 grade 2 备注 低失真 (2fo = -89 dBm typ. @ f = 786.5 MHz, PIN = +23 dBm
3fo = -89 dBm typ. @ f = 710 MHz, PIN = +23 dBm) -
技术资料
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品质&封装
产品名称 对应 封装 标注 信赖性 NJG1812AMET-A EQFN12-ET - - - 有关产品的详细信息,请参见数据表。
- 封装文件或数据表包括封装尺寸,卷带规格,卷带盘尺寸,功耗和建议的焊盘图案。
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买入/样品
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线上购买
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买入/样品依赖/资料获取
授权代理商
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