NJG1812AMET-A
高功率DPDT射频开关 GaAs MMIC

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  • 概述

    NJG1812AMET-A 是最适合LTE/UMTS/CDMA/GSM等通信用途的大功率DPDT 开关。本产品能应对1.8V切换电压,在3 GHz频率之内还具有低插入损耗、低失真、高线性特性的特点。此外,内置的ESD 保护器件使之具有高ESD 耐压。本产品无需隔直电容,有利于消减实装面积(施加直流偏置电压时例外)。采用Wettable Flank(可湿性侧面)封装QFN12-ET 能够应对强烈要求自动外观检查(AOI)的车载用途。

    应用

    • 紧急呼叫(eCall)
    • 车载智能通信(Telematics)
    • 天线交换及其他通用切换用途
    • LTE, UMTS, CDMA, GSM用途

  • 规格
    车载
    功能 DPDT开关
    P-0.1dB Typ. 36dBm
    功率级 High Power
    插入损耗 0.25 dB typ. @ f = 900 MHz, PIN = +35 dBm
    0.35 dB typ. @ f = 1900 MHz, PIN = +33 dBm
    0.45 dB typ. @ f = 2700 MHz, PIN = +27 dBm
    频率范围 0.7GHz ~ 2.7GHz
    封装尺寸 Typ. 2.0x2.0x0.78 mm
    低电压切换 VCTL(H) = 1.35 V to 5.0 V
    工作电压 VDD = 2.7 V typ.
    工作温度范围 -40°C ~ 105°C
    结温 150°C
    封装 EQFN12-ET
    AEC-Q100 AEC-Q100 grade 2
    备注 低失真 (2fo = -89 dBm typ. @ f = 786.5 MHz, PIN = +23 dBm
    3fo = -89 dBm typ. @ f = 710 MHz, PIN = +23 dBm)
  • 技术资料
  • 品质&封装
    • 有关产品的详细信息,请参见数据表。
    • 封装文件或数据表包括封装尺寸,卷带规格,卷带盘尺寸,功耗和建议的焊盘图案。

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功能说明

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