R5449 系列
高效单节锂电保护芯片,内置驱动,可使用高位Nch FET开关,内置温度保护
R5449 系列
高效单节锂电保护芯片,内置驱动,可使用高位Nch FET开关,内置温度保护
-
概述
R5449系列芯片是单节锂电池保护芯片,对过电压充电,欠电压放电,充电过电流,放电过电流,以及温度异常均有保护作用。此芯片能驱动外置高位Nch MOSFET开关,此芯片对电压,电流的检测精度非常高,并且能够防止0V电池再充电。
此外,本产品提供超低耗电的Standby Mode,当发现欠压放电,电压低于电路最低值时,会进入Standby Mode, 此时内部电路会停止工作。另外,使用CTL端子也可以强制芯片进入Standby Mode。
-
规格
输入电压 1.5 V to 5.0 V (Maximum Rating: 6.5 V) 元件数 1 电源电流 Typ. 5.0 µA 待机电流 Max. 0.04 µA 过充电检测电压 4.2 V to 4.6 V (0.005 V step) 过充电检测电压精度 ±10 mV (0°C ≤ Ta ≤ 50°C) 过充电检测延迟时间 1024 ms / 2048 ms / 3072 ms / 4096 ms 过放电检测电压 2.0 V to 3.4 V (0.005 V step) 过放电检测电压精度 ±35 mV 过放电检测延迟时间 16 ms / 32 ms / 128 ms 放电过电流检测电压 0.012 V to 0.150 V (0.001 V step) 放电过电流检测电压精度 0.012 V to 0.040 V: ±2mV
0.041 V to 0.060 V: ±5%
0.061 V to 0.150 V: ±3mV放电过电流检测延迟时间 32 ms / 128 ms / 256 ms / 512 ms / 1024 ms 充电过电流检测电压 −0.150 V to −0.012 V (0.001 V step) 充电过电流检测电压精度 −0.150 V to −0.061 V: ±3mV
−0.060 V to −0.041 V: ±5%
−0.040 V to −0.012 V: ±2mV充电过电流检测延迟时间 8 ms 短路检测电压 0.032 V to 0.200 V (0.005V step) 短路检测电压精度 ±3 mV 检测延迟时间短 280 µs 恢复过充的条件 Latch 恢复过放电的条件 Latch 封装 WLCSP-8-P8 0 V Battery Charge Inhibition Current Sense Resistor / FET Thermal Protection Charge and Discharge Current 保护回路/功能
Temperature Protection Reset Alarm Cell Balance Cascadable Open Wire Detection Wakeup Short-circuit Current Detection Delay Time Shortening -
技术资料
-
应用信息 (by resistor)
Support for sense current by resistor
-
应用信息 (by FET)
Support for sense current by FET
-
-
品质&封装
产品名称 对应 封装 标注 信赖性 R5449Zxxxxx-E2-F/T WLCSP-8-P8 请参见数据表 R5449Z-F - 有关产品的详细信息,请参见数据表。
- 封装文件或数据表包括封装尺寸,卷带规格,卷带盘尺寸,功耗和建议的焊盘图案。
-
买入/样品
-
线上购买
-
买入/样品依赖/资料获取
授权代理商
请与您当地的代理商联系以进行任何与销售有关的咨询,例如价格,库存,交货等。
-
下载数据表
功能说明
Temperature Protection | Temperature Protection |
---|---|
Reset | Reset Function |
Alarm | Alarm Function |
Cell Balance | Cell Balance Function |
Cascadable | Cascade Connect Function |
Open Wire Detection | Open Wire Detect Function |
Wakeup | Wakeup Function |
Short-circuit Current Detection | Short-circuit Current Protection |
Delay Time Shorting | Output Delay Time Short Function |
有关详细信息,请参阅 "关于外部保护功能以及它们的优点"。