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推出面向高端音频设备的20V耐压超低噪声LDO电源IC“MUSES130”
搭配MUSES运算放大器使用,进一步提升高端音频设备音质

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推出面向高端音频设备的20V耐压超低噪声LDO电源IC“MUSES130”
搭配MUSES运算放大器使用,进一步提升高端音频设备音质
日清纺微电子株式会社(Nisshinbo Micro Devices Inc.)宣布,在其高音质音频器件品牌“MUSES”产品阵容中,推出适用于高端音频设备模拟电路电源的20V耐压正电源LDO产品MUSES130。

MUSES130 DFN3030-8-GQ (3.0 × 3.0 × 0.75mm)
在音频设备中,D/A转换器、I/V转换放大器、低通滤波器、线路放大器以及耳机放大器等模拟电路的音质表现,不仅取决于信号传输路径,电源品质同样是关键因素。尤其是在高端音频设备中,需要通过低噪声、稳定的电源供电,充分发挥运算放大器等模拟器件的性能。
“MUSES”是日清纺微电子面向高端音频设备推出的高音质音频器件品牌,迄今已陆续推出多款运算放大器等模拟IC产品。此次推出的MUSES130,是将“MUSES”系列积累的音质优化技术应用于电源IC领域而开发的20V耐压正电源LDO,主要用于与已上市的MUSES运算放大器搭配使用。
凭借低噪声和高电源纹波抑制能力,MUSES130可为音频电路提供稳定的电源供应,进一步提升整机音质表现。
其主要特点如下:
- 采用双极型工艺(Bipolar Process)
- 输入电压范围:2.3V~19.0V;输出电压范围:1.8V~17.0V
- 输出电流:200mA
- 输出噪声电压:典型值9µVrms(f = 10Hz~80kHz)
产品采用小型、高散热性能DFN3030-8-GQ封装,在提高设备小型化和设计自由度的同时,凭借优异的散热性能,即使在高输出条件下也能保持稳定运行,助力实现高可靠性设计。
此外,本公司还正在开发可与MUSES130配套使用的负电源产品,预计于2027年第一季度实现量产。届时,将进一步强化以MUSES运算放大器为核心、涵盖正负电源解决方案的高端音频系统整体方案提案能力。
MUSES系列产品布局


销售信息
| 产品名 | MUSES130 |
| 样品价格 (1,000个起购参考价格/含税※) |
550日元 |
| 样品订购开始 | 2026年10月28日 |
| 月产量 | 100万个 |
- ※价格基于2026年10月的消费税率
是日清纺微电子株式会社的自主品牌和注册商标。
特点
1. 最适合作为MUSES运算放大器供电的高音质电源IC
与已上市的MUSES运算放大器配合使用,可进一步提升高端音频设备的音质表现。
通过采用以音质表现为导向的电路技术、版图(器件与布线)设计技术、材料及组装技术,不仅实现了作为电源IC所需的优异基本性能,同时兼顾了音频设备在实际听感方面的品质表现。适用于I/V转换放大器、低通滤波器、线路放大器、耳机放大器等采用MUSES运算放大器的模拟电路电源应用。
2. 实现20V耐压、低噪声及高纹波抑制性能
MUSES130是一款20V耐压LDO,支持2.3V~19.0V输入电压范围及1.8V~17.0V输出电压范围,可覆盖高端音频设备模拟电源应用所需的电压范围。
产品输出噪声电压典型值仅为9μVrms,纹波抑制比(PSRR)典型值达到75dB。凭借低噪声、稳定供电特性,为音频电路实现高品质信号处理提供有力支持。
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输出噪声电压特性示例
VIN = 3.9V, VOUT = 2.9V, CIN (Ceramic) = 10µF, CREG = 1µF, CNR = 0.47µF, CFB = 10nF, R1 = 510Ω, R2 = 680Ω, LPF = 80kHz
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纹波抑制特性示例
VIN = 3.9V, VOUT = 2.9V, IOUT = 10mA, f = 1kHz, CIN (Ceramic) = 10µF, COUT (Ceramic) = 10µF, CNR = 0.47µF, CFB = 10nF, CREG = 1µF, R1 = 510Ω, R2 = 680Ω
3. 采用双极型工艺开发
MUSES130是一款采用双极型工艺开发的高端音频专用电源IC。
其具备音频应用所要求的低噪声特性,并通过兼顾音质表现的设计架构,为高端音频设备提供更大的电路设计自由度。
主要性能指标(详情请参阅产品数据表)
| 项目 | MUSES130 |
| 输入电压范围 | 2.3 V to 19 V(最大额定值 20 V) |
| 输出电压范围 | 1.8 V to 17 V |
| 输出电流 | 200 mA |
| 静态电流 | 典型值 200 μA |
| 纹波抑制比(PSRR) | 典型值 75 dB(1 kHz) |
| 输出噪声电压 | 典型值 9.0 μVrms(f = 10 Hz to 80 kHz) |
| 工作温度范围 | -40°C to 125°C |
| 内置功能 | 过热保护功能、过电流保护功能 |
| 封装 | DFN3030-8-GQ (3.0 × 3.0 × 0.75 mm) |
基本电路示例
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日清纺微电子株式会社
