NJG1126HB6
2GHz频段的低噪声放大器 GaAs MMIC
NJG1126HB6
2GHz频段的低噪声放大器 GaAs MMIC
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概述
NJG1126HB6是带有旁通电路的低噪声放大器，主要适用于2GHz频段的W-CDMA 手机，但是通过外部整合电路也能够对应1.7GHz～3.8GHz频段。本产品内置有逻辑电路，可通过1bit的控制信号完成High Gain模式 / Low Gain模式之间的切换。处于High gain模式时，可实现高IIP3和低噪声；处于Low Gain模式时，低噪声放大器则处于待机状态，可实现低消耗电流。采用了USB8-B6封装，实现了产品的小型化和薄型化。
应用
- W-CDMA、LTE用途
- W-LAN、WiMAX用途
规格
| 消费 | |
|---|---|
| 应用 | 3G/ LTE/ WLAN/ WiMAX |
| 增益 | Typ. 16.5dB @VCTL=1.85V, fRF=2140MHz |
| NF | Typ. 1.4dB @VCTL=1.85V, fRF=2140MHz |
| P-1dB | Typ. -12.0dBm @VCTL=1.85V, fRF=2140MHz +11.0dBm @VCTL=0V, fRF=2140MHz |
| IIP3 | Typ. 0dBm @VCTL=1.85V, fRF=2140MHz +16.0dBm @VCTL=0V, fRF=2140MHz |
| 消耗电流 | Typ. 2.2mA @VCTL=1.85V/ 1uA @VCTL=0V |
| 频率范围 | 2140MHz |
| 电源电压 | +2.7V |
| 封装尺寸 | Typ. 1.5x1.5x0.55 mm |
| 工作温度范围 | -40°C to 85°C |
| 结温 | 150 °C |
| 封装 | USB8-B6 |
| 低切换电压 | +1.85V typ. |
技术资料
品质&封装
- 有关产品的详细信息，请参见数据表。
- 封装文件或数据表包括封装尺寸，卷带规格，卷带盘尺寸，功耗和建议的焊盘图案。
常问问题
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